EE反向器和CMOS反向器静态特征图上可以看出的区别

EE反向器和CMOS反向器在静态特征图上的区别是：

EE反向器的静态特征图中，输入端和输出端都连接到电路的电源或地，而CMOS反向器的静态特征图中，输入端和输出端都连接到电路的电源或地的某个极性。

另外，EE反向器的静态特征图中，输出端的电平与输入端的电平相反，即输入为高电平时，输出为低电平；输入为低电平时，输出为高电平；而CMOS反向器的静态特征图中，输出端的电平与输入端的电平相同，即输入为高电平时，输出为高电平；输入为低电平时，输出为低电平。

EE反向器和CMOS反向器在静态特征曲线上的不同点是：

EE反向器的静态特征曲线呈现出一条斜率为-1的直线，即输入电压和输出电压成反比关系。而CMOS反向器的静态特征曲线呈现出两个平台，一个平台对应输入为低电平时输出为高电平，另一个平台对应输入为高电平时输出为低电平。

此外，EE反向器的静态特征曲线通常具有更高的噪声容限和较低的灵敏度，而CMOS反向器的静态特征曲线则具有更低的噪声容限和更高的灵敏度。因此，CMOS反向器通常更适合用于高性能数字电路中。